Исследователи из Хельсинкского технологического университета (Финляндия), университета Южного Уэльса (Австралия) и Университета Мельбурна (Австралия) добились успеха в создании рабочих транзисторов, чья активная область составляет всего один атом фосфора в кремнии.
Принцип работы устройства основан на последовательном туннелировании одного электрона от атома фосфора до эмиттера и коллектора транзистора. Туннелирование может быть подавлено или разрешено путем регулирования напряжения металлическим электродом шириной в несколько десятков нанометров.
Быстрое развитие вычислительной техники, которая привела к нынешнему информационному обществу, основывается гл...